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CREE的CGHV96130F是炭化硅(SiC)基本的材質材料上的氮化鎵(GaN)高變遷率硫化鋅管(HEMT)與某個的技術相較于，CGHV96130F企業內部適用于(IM)FET享有出彩的功效額外率。與砷化鎵比較，GaN兼有最佳的耐熱性；其中包括越來越高的擊穿電壓場強；越來越高的呈現飽和狀態電子技術漂移效率和越來越高的熱導率。與GaAs結晶體管相信，GaN HEMT還有著越高的工率容重和更寬的網絡帶寬。CGHV96130F用到金屬制/工業陶瓷法蘭部打包封裝能夠 確保最合適的電器和熱相對穩明確。

特征描述

166WPOUT（典型性值）

7.5dB工作功率增益控制值

42%類型PAE

50Ω內部組織配適

<0.3dB最大功率降低

物品規格型號

詳情：130瓦；8.4-9.6GHz；50Ω；常見使用于X波長統計應用的錄入/輸送適應GaNHEMT

世界上最大的頻率(MHz)：8400

非常大工作頻率(MHz)：9600

上限值讀取耗油率(W)：130

率（％）：42

功率電壓降(V)：40