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CREE雷達放大器GTVA126001EC和GTVA126001FC是600瓦GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT),適用于1200至1400MHz頻率段。GTVA12600具備輸入適配性能;高效化;和熱強化包。
優點
輸人配適
熟悉的單輸入脈沖CW安全性能(AB類);1200MHz;50伏;300μs智能率;10%pwm占空比;效果瓦數(P3dB)=600W;吸引錯誤率=65%;收獲值=18dB
能能在單脈沖造成的生態環境時以600W輸送輸出具備10:1過載失諧(大部分相位差):300μs激光脈沖頻次;10%pwm占空比;VDD=50V;IDQ=100mA
超模繪圖1C類(隨著AnSI/ESDA/JEDECJS-001)
無鉛并契合RoHS規則的規定
技術應用
雷達探測變成器
CREE(科銳)建成于1987年,CREE科銳擁有30數年的網絡帶寬GAP鋼筋取樣料和信息化廠品,CREE科銳就是一個全版的設計方案協議盟友,合適rf射頻的意愿,CREE科銳為行業界技藝一流的器機設施出具更強的工作效率和更低的模塊耗費。CREE科銳由最展開的GaN基面材料LED成品技術性優勢全球各地級,到紅外光頻射與厘米波集成電路芯片成品,CREE科銳于2017年剝離出微波微波射頻微波射頻公司Wolfspeed,以網絡帶寬、大工作效率圖像功率放大器好產品為優勢。
長沙市立維創展科持是CREE的代理商商,開發CREE微波射頻元器件主要優勢訂貨業務,并長年庫存管理現貨黃金,以備不時之需中股票市場意愿。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
GTVA126001FC-V1 | GaN on SiC | 1.2 GHz | 1.4 GHz | 600 W | 20 dB | 63% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Earless |
GTVA126001EC-V1 | GaN on SiC | 1.2 GHz | 1.4 GHz | 600 W | 20 dB | 63% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |