發部時間段:2023-05-08 16:39:50 瀏覽記錄:1250
CREE PTVA123501EC和PTVA123501FC LDMOS FET設計用作1200MHz至1400MHz頻率段的功率放大器技術應用。特征包括具有切槽和無耳法蘭盤的高增益和熱加強型封裝形式。PTVA12350選用Wolfspeed最先進的LDMOS工藝技術;PTVA12350提供優異的熱穩定性和優異的安全可靠性。
基本特征
帶寬內部結構輸進導出兼容性測試
高增益值和能力
整合化ESD確保
低冷卻彈性系數
經久使用
無鉛并無法RoHS標準規程規程
適用
1200至1400MHz頻繁段的工作電壓增加器;雷達觀測觀測
CREE(科銳)創立于1987年,CREE科銳必備條件30十幾年的帶寬GAP鋼筋取樣料和的創產品與服務設備,CREE科銳不是個全面的設計的企業合作商務合作,契合rf射頻的使用需求,CREE科銳為行同行業技術設配進取的機設配供應更強的電功率和更低的特點損失。CREE科銳由最慢慢的GaN材料的特性LED產品技術性世上領先全世上,到徽波微波射頻與直徑波處理器產品,CREE科銳于2017年剝離出徽波頻射高端品牌Wolfspeed,以網絡帶寬、大熱效率放小器物品為優點。
廣州 市立維創展信息技術是CREE的供應商商,得到CREE徽波配件資源優勢訂貨的渠道,并長期性存量外盤,以防中國國家茶葉市場的需求。
商品詳情頁理解CREE紅外光射頻紅外光請點://www.takasago.net.cn/brand/35.html
Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
PTVA123501FC-V1 | LDMOS | 1.2 GHz | 1.4 GHz | 350 W | 17 dB | 55% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Earless |
PTVA123501EC-V2 | LDMOS | 1.2 GHz | 1.4 GHz | 350 W | 17 dB | 55% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |