發布了時間段:2023-03-16 16:42:49 訪問 :1242
RF-LAMBDA氮化鎵晶圓通常是在外界基板(例如藍寶石)上外延生長的單晶GaN薄層層析,一般板厚小于100μm。與獨立式GaN基板相比較,RF-LAMBDA氮化鎵晶圓僅是元器件生產商中的一種替代解決方案,其技術優勢受限。然而,在高容量和低成本生產制造的前提下,RF-LAMBDA氮化鎵晶圓能夠在LED生產中替代藍寶石,從而提升下游MOCVD反應裝置高至50%的產能。此外,RF-LAMBDA氮化鎵晶圓一般比在藍寶石上生長的MOCVD GaN具備較低的位錯密度。這對于UV元器件來說是個有利因素,因為它比藍色LED對位錯密度更加敏感。
廣州 市立維創展技術是RF-LAMBDA的銷售商, RF-LAMBDA的貨品包擴:無源抑制功能組件,有源抑制功能組件,聯通寬帶工率增加器,窄帶PA和驅動軟件圖像運放電路,成品制作線均利用美式軍工設汁規范與制作制作,穩步廣泛性利用于核工業,航空運輸,軍工機器,移動通訊衛星移動通訊,聲納等高級施工工作。
信息熟知RF-LAMBDA請點擊事件:http?: //www.takasago.net.cn/public/brand/3.html
氮化鎵分類 | 模板下載行 | 板材直徑怎么算 | 重量 (μm) | Marcodefect 黏度 | 阻值率 (Ω·cm) | 板材的厚度誤差率 (±μm) | |
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GT.100.10.NB4 | 氮化鎵設計 | 參雜 (N+) | 4" | 100 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 2.50 |
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RFGB.CP.NB10 | 大塊氮化鎵 | 摻入 (N+) | 不滿用 | 430 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 5.00 |
RFGB.CP.NB18 | 大塊氮化鎵 | 摻入 (N+) | 惡化的情況用 | 430 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 10.00 |
RFGB.CP.NB30 | 大塊氮化鎵 | 夾雜著 (N+) | 不適應用 | 430 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 25.00 |
RFGB.CP.SEMI.B.10 | 小塊氮化鎵 | 半電絕緣 | 不合適于 | 430 | <10/cm2 | 109-1012 | 5.00 |
RFGB.CP.SEMI.B.18 | 小塊氮化鎵 | 半絕緣帶 | 不適應用 | 430 | <10/cm2 | 109-1012 | 10.00 |
RFGB.CP.SEMI.B.30 | 小塊氮化鎵 | 半電絕緣 | 不適反應用 | 430 | <10/cm2 | 109-1012 | 25.00 |
RFGB.CP.UD.B.10 | 小塊氮化鎵 | 未摻入 (N-) | 不適應用 | 430 | <10/cm2 | 0.5 | 5.00 |
RFGB.CP.UD.B.18 | 條狀氮化鎵 | 未夾雜著 (N-) | 不適感用 | 430 | <10/cm2 | 0.5 | 10.00 |
RFGB.CP.UD.B.30 | 團狀氮化鎵 | 未夾雜著 (N-) | 身體不可用于 | 430 | <10/cm2 | 0.5 | 25.00 |