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Wolfspeed的CG2H30070F是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。具有輸入適配,能夠在0.5-3.0GHz范圍之內提供最理想的瞬時寬帶性能。與硅或砷化鎵相比較,GaN具有更優越的使用性能;CG2H30070F包括更好的擊穿場強;更好的飽和電子飄移速度和更好的導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較,GaN HEMT還提供了更好的功率密度和更寬的帶寬。CG2H30070F選用2導線金屬/陶瓷法蘭盤封裝,可以實現最理想的電氣和熱穩定性。
特殊性
0.5–3.0GHz應該用電源開關電源電路
28V時標稱數值85WPOUT
10dB耗油率收獲值
58%的泄壓閥效應
的內部兼容性測試
運用
寬帶網絡放小器
微波通信抵抗計劃
電磁能不干擾
雷達測探測探
數據源連接方式
CREE(科銳)申請加入于1987年,CREE科銳具備條件30幾年的帶寬GAP原素材料和創新性車輛,CREE科銳也是個詳細的規劃合作的同伴,符合標準rf射頻的需求量,CREE科銳為行行業內技術水平優勢的產品設配打造更強的工作功率和更低的的功能自然損耗。CREE科銳由最剛開始的GaN材料的特性LED服務方法精英型全部里,到微波通信頻射與公分波心片服務,CREE科銳于2017年破乳出微波通信頻射國產品牌Wolfspeed,以寬帶網絡、大耗油率變成器產品的為杭州特色。
東莞市市立維創展新材料技術是CREE的代理商商,有CREE微波加熱電子元件強勢供貨途徑途徑,并長年存貨外盤,以備不時之需全球市廠訴求。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CG2H30070F-AMP2 | GaN on SiC | 0.5 GHz | 3 GHz | 80 W | 15 dB | 55% | 28 V | Evaluation Board | Flange |
CG2H30070F | GaN on SiC | 0.5 GHz | 3 GHz | 80 W | 15 dB | 55% | 28 V | Packaged Discrete Transistor | Flange |