上架的時間:2023-02-16 16:39:32 瀏覽器:769
CREE PTVA120501EA的LDMOSFET結構設計適用于1200至1400MHz頻率段的功率放大器應用領域。特性包括高增益和帶螺母固定法蘭盤的熱高性能封裝形式。PTVA120501EA-V1選用Wolfspeed領先的LDMOS工藝技術;PTVA120501EA-V1提供優異的熱穩定性和優異的安全可靠性。
特殊性
移動寬帶鍵入兼容性測試
高增益控制和高利潤
最典型案例的脈沖造成的CW特點指標英文;1200–1400MHz
50伏
300ms單脈沖不斷時間
10%pwm占空比
P1dB時的的輸出工作功率54W
高效化率55%
收獲值16dB
集成型化ESD保障
低熱擴散系數
無鉛并契合RoHS基準規則
采用領域行業
1200至1400MHz頻次段的效率拖動器;雷達探測全向天線
CREE(科銳)建立于1987年,CREE科銳符合30十多年的寬帶網GAP原料料和不斷創新食品,CREE科銳一個完成的設定戰略合作盟友,契合rf射頻的各種需求,CREE科銳為行在業內工藝前沿的機器系統系統出示更強的輸出和更低的特點損耗費。CREE科銳由最著手的GaN材料LED品牌技術進取全游戲,到微波加熱微波射頻與厘米波處理芯片品牌,CREE科銳于2017年分離出來出微波通信rf射頻公司Wolfspeed,以寬帶網絡、大公率變大器貨品為獨具特色。
南京市立維創展信息技術是CREE的代理商商,有著CREE微波加熱元器件封裝優勢可言要貨橋梁,并經常存貨現貨平臺,以防我國的餐飲市場市場需求。
詳情頁熟知 CREE頻射微波加熱請單擊://www.takasago.net.cn/brand/35.html
Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
PTVA120501EA-V1 | LDMOS | 1.2 GHz | 1.4 GHz | 50 W | 17 dB | 50% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |