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?CGHV60040D L光波工作功率變小器CREE

發布的期限:2023-01-31 16:42:02     瀏覽記錄:1287

Wolfspeed的CGHV60040D是種氮化鎵(GaN)高手機遷址率氯化鈉晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵比起來較,GaN兼具優秀的特點基本參數。例如相對而言較高的電壓擊穿場強;相較較高的飽合電子器件飄移頻率;和比較較高的制熱標準值。與Si和GaAs結晶管比起來較,CGHV60040D擁有效果更好的高瓦數高規格和更寬的速率。

特征英文

65%的主要的額定功率映射效果

40W典型PSAT

50伏調節

高擊穿電壓場強

高至6GHz的運行頻段

APP

蜂窩基礎條件設施設備投建

ClassA;AB;主耍于OFDM的線形變大器;有線網路頻分多址;LTE;邊部;CDMA波形圖

CREE(科銳)注冊于1987年,CREE科銳具備30二十多年的移動寬帶GAP原料料和革新企業產品,CREE科銳一個完整詳細的制定合作項目夥伴,完全符合rf射頻的需要量,CREE科銳為行業內人士高技術先進的絲機設配提供數據更強的工作功率和更低的能力不足。CREE科銳由最已經開始的GaN材料的特性LED新貨品能力精英型全時代,到微波微波射頻微波射頻與直徑波存儲芯片新貨品,CREE科銳于2017年分離出來出徽波頻射加盟品牌Wolfspeed,以寬帶網、大額定功率變大器類產品為一大特色。

鄭州市立維創展技術是CREE的經銷處商,成為CREE微波加熱電子元件優越交貨業務,并持久庫存量現貨平臺,以期中國國家市面所需。

詳細情況熟知CREE頻射微波加熱請點一下://www.takasago.net.cn/brand/35.html

CREE.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV60040D-GP4

GaN on SiC

DC

6 GHz

40 W

65%

50 V

Discrete Bare Die

Die


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