亚洲一区二区三区在线-欧美一二区-欧美亚洲一区-欧美激情一区

C頻譜雷達天線公率圖像放大儀CMPA5259050 CREE

分享時：2022-10-25 16:25:02 閱覽：951

Wolfspeed的CMPA5259050特別為到位提高效益率而制作氮化鎵(GaN)高微電子搬遷率結晶體管(HEMT)；高增益值；和移動寬帶寬能力；也令CMPA5259050格外合適5.2–5.9GHz統計放小器能力采用。CMPA5259050晶狀體管使用的瓷磚/復合法蘭片封裝類型。

顯著特點

31dB小走勢增益值值

50W其最典型的PSAT

額定負載的電壓萬代高達28V

高穿透場強

中高溫度基本操作

方法適用

AESA雷達探測

國防教育汽車雷達

火控汽車雷達

淺海戰艦；淺海;地守護統計

氣候汽車雷達

CREE（科銳）開設于1987年，CREE科銳具備著30年的聯通寬帶GAP原原料料和轉型升級類產品，CREE科銳都是個全版的來設計合作協議朋友們，契合微波射頻的供給，CREE科銳為行行業方法智領的機氣設施給出更強的電功率和更低的基本功能消耗的資金。CREE科銳由最著手的GaN基本的材質材料LED廠品技術應用前沿全生活，到微波通信頻射與mm毫米波集成ic廠品，CREE科銳于2017年分離出微波頻射頻射國產品牌Wolfspeed，以寬帶網、大瓦數調小器車輛為地方特色。

北京市立維創展科技產業是CREE的生產商商，擁有的CREE徽波元器特色訂貨平臺，并繼續庫存量期貨，以備不時之需我們市揚市場需求。

商品詳情知曉CREE微波加熱射頻微波加熱請點擊事件：//www.takasago.net.cn/brand/35.html

Product SKU	Technology	Frequency Min	Frequency Max	Peak Output Power	Gain	Efficiency	Operating Voltage	Form	Package Type
CMPA5259050S	GaN on SiC	5.2 GHz	5.9 GHz	50 W	30 dB	50%	28 V	Packaged MMIC	Surface Mount
CMPA5259050F-AMP	GaN on SiC	5.2 GHz	5.9 GHz	50 W	30 dB	54%	28 V	Evaluation Board	Flange
CMPA5259050F	GaN on SiC	5.2 GHz	5.9 GHz	50 W	30 dB	54%	28 V	Packaged MMIC	Flange
CMPA5259050D	GaN on SiC	5.2 GHz	5.9 GHz	50 W	30 dB	54%	28 V	MMIC Bare Die	Die
CMPA5259050F-AMP1	GaN on SiC	5.2 GHz	5.9 GHz	50 W	30 dB	54%	28 V	Packaged MMIC	Flange

上一篇: 使用具有獨立柵極偏置控制的并行晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強

下一篇: CHA3024-FDB模擬放大器VGA UMS

欧美一二区-欧美亚洲一区-欧美激情一区-欧洲一区二区