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我們已經發布了三款用于C波段，X波段，K波段和Ka波段應用的新型GaAs MMIC混頻器。CMD251C3基波混頻器，CMD252C4 I / Q混頻器和CMD180基波混頻器可提供同類最佳的隔離和轉換損耗性能，同時提供低輸入功率要求。這些新型MMIC混頻器有助于提高動態范圍，同時降低LO功率和后續濾波要求。它們是高性能商用，軍用，航空航天和衛星通信應用的理想選擇。

所述CMD251C3是一種通用的，在3×3毫米的無引線表面基本雙平衡混頻器MMIC安裝封裝可用于圖4個8.5千兆赫（C波段）之間向上和向下轉換的應用程序。由于優化的平衡 - 不平衡轉換器結構，該基波混頻器具有高LO至RF和LO至IF隔離度36 dB，并且可以在低至+15 dBm的LO驅動電平下工作。該GaAs混頻器還具有DC至2.2 GHz的寬IF帶寬和僅7 dB的極低轉換損耗。

所述CMD252C4是4千兆赫到8GHz（C波段）緊湊的I / Q混頻器MMIC中的4×4無引線的表面安裝封裝。該基礎混頻器由兩個雙平衡混頻器單元和一個90度混合器組成。需要一個外部IF混合來完成30 dB的鏡像抑制，但這種組合是更高成本的混合鏡像抑制混頻器和單邊帶上變頻器組件的一個小得多的替代品。CMD252C4還具有DC至2.4 GHz的寬IF帶寬，低IRM轉換損耗僅為6.5 dB。

該CMD180是一個通用的，在一個小的芯片尺寸提供基本的雙平衡混頻器MMIC。該GaAs MMIC可用于20至32 GHz（X波段，K波段，Ka波段）的寬帶上變頻和下變頻應用。它具有36 dB的RF和IF端口的高隔離度，這也歸功于優化的平衡 - 不平衡轉換器結構，并且可以在低至+9 dBm的LO驅動電平下工作。CMD180提供DC和10 GHz之間的寬IF帶寬，并且轉換損耗僅為7 dB。