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C中波段氮化鎵 HEMT增加器CGHV1F025 CREE

發布的期限:2022-08-17 16:53:17     打開網頁:982

Wolfspeed的CGHV1F025S是前所未有的;氮化鎵(GaN);高電子遷移率晶體管(HEMTs)設計的高效率;高增益和寬頻帶性能。CGHV1F025適合于L、S、C、X和KU波段放大器技術應用。數據規格基于x波段(8.9-9.6GHz)放大器。

CGHV1F025S經營在40伏公路道岔上,二極管封裝在3mmx4mm;外觀使用;雙扁長無高壓導線(DFN)封口。減小了馬力;CGHV1F025是可以從40V至20VVDD電阻值下運轉;持續高增益值和更高能力。

的特點

高達模型15GHz的控制

25W具代表性輸送瓦數

9.4GHz時11dB增加收益值

8.9–9.6GHz的技木適用三極管

技術應用

L;S;C;X 和Ku中波段擴大器

CREE(科銳)解散于1987年,CREE科銳掌握30二十多年的帶寬GAP原料料和去創新產品,CREE科銳就是個完整版的構思合作關系伙伴們,符合要求頻射的意愿,CREE科銳為行同行業技木頂尖的系統主設備提高更強的電功率和更低的技能消耗。CREE科銳由最準備的GaN基本的材質材料LED食品水平專業全市場,到紅外光頻射與公分波電源芯片食品,CREE科銳于2017年脫離出紅外光rf射頻品牌形象Wolfspeed,以聯通寬帶、大電機功率調小器產品設備為上海特色。

山東市立維創展自動化是CREE的銷售商,得到CREE微波加熱器材優缺點交貨分銷渠道,并長期性的銷量期貨,以作我國的的市場需要。

具體詳情了解一下CREErf射頻微波通信請點一下://www.takasago.net.cn/brand/35.html

 CREE.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV1F025S-AMP1

GaN on SiC

8.9 GHz

9.6 GHz

25 W

11 dB

51%

40 V

Evaluation Board

Surface Mount

CGHV1F025S

GaN on SiC

DC

15 GHz

25 W

11 dB

51%

40 V

Packaged Discrete Transistor

Surface Mount

 


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