發表時刻:2022-07-20 16:36:43 瀏覽訪問:915
CREE的CGHV1J006D是碳化硅襯底里的高壓氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);采用0.25-μm柵極尺寸的工藝技術。CGHV1J006D的GaN-on-SiC產品提供優質的高頻率、高效率的特性。CREECGHV1J006D-GP4特別適合在40V和高擊穿電壓下作業在10MHz至18GHz的各種技術應用。
特性
17dB經典。10GHz時的小無線信號增益值值
60%一般值。10GHz時的PAE
6W非常典型Psat
40伏把控
高至18GHz的超控
運用
衛星影像網絡通信
PTP網絡通信聯系
附近統計
豪華游艇統計
港口船舶制造客運服務性
聯通寬帶調大器
高質量率縮放器
CREE(科銳)申請加入于1987年,CREE科銳具有30許多年的光纖寬帶GAP鋼筋取樣料和信息化好產品,CREE科銳就是一個完整詳細的設計方案進行合作夥伴,契合微波射頻的需要,CREE科銳為行行業內技能智領的刷卡機裝備提拱更強的耗油率和更低的效果耗率。CREE科銳由最慢慢的GaN基本材料LED服務方法更優全游戲世界,到徽波rf射頻與mm毫米波集成塊服務,CREE科銳于2017年分離出來出紅外光rf射頻高端品牌Wolfspeed,以聯通寬帶、大電機功率放縮器新產品為代表性。
北京市立維創展信息技術是CREE的經銷處商,收獲CREE微波通信配件優質供貨途徑途徑,并長遠庫存積壓外盤,以備不時之需中華茶葉市場需求分析。
詳細情況了解到CREE徽波射頻徽波請彈框://www.takasago.net.cn/brand/35.html
Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CGHV1J006D-GP4 | GaN on SiC | DC | 18 GHz | 6 W | 17 dB | 60% | 40 V | Discrete Bare Die | Die |