更新用時:2022-07-14 16:41:47 訪問 :930
CREE的CMPA0060002是種根據氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比較具備優質的性能指標;包括更高電壓擊穿;更高飽和電子漂移速率和更高導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較,GaN HEMT還保證更高功率密度和更寬的帶寬。C波段GaN MMIC功率放大器CMPA0060002CREE選用分布式(行波)放大器設計方法;能夠在極小的空間內完成極寬的帶寬。保證裸片和具有銅鎢熱管散熱器的旋入式封裝形式。
CREE的Ck線GaN MMIC輸出功率圖像放大電路CMPA0060002滿足2-W;20-MHz-6000-MHz;GaN MMIC馬力變成器。
特征描述
17dB小手機信號增益值值
3W經典之作PSAT
電機額定功率電壓降將高達28V
高的電壓損壞
持續高溫度的操作
利用
超長帶變成器
無線網絡網絡光纖推動器
自測設施
EMC放縮器能夠器
CREE(科銳)揭牌于1987年,CREE科銳具備30幾十年的光纖寬帶GAP原料料和多元化物料,CREE科銳一個詳細的來設計合作關系粉絲,貼合微波射頻的供給,CREE科銳為行業內人士枝術先進的機械裝置作為更強的效率和更低的職能消耗的資金。CREE科銳由最進行的GaN材料LED產品技藝領先于全中國,到微波加熱頻射與公厘波基帶芯片產品,CREE科銳于2017年拆分出紅外光頻射茶葉品牌Wolfspeed,以移動寬帶、大輸出調小器護膚品為獨特。
西安市立維創展技術是CREE的銷售商,擁有的CREE微波加熱元器勝機供貨期橋梁,并常期庫存盤點外盤,以備不時之需中國有茶葉市場標準。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CMPA0060002F1 | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 2 W | 18 dB | 25% | 28 V | Packaged MMIC | Flange |
CMPA0060002D | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 2 W | 17 dB | 30% | 28 V | MMIC Bare Die | Die |
CMPA0060002F | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 2 W | 17 dB | 23% | 28 V | Packaged MMIC | Flange |
CMPA0060002F-AMP | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 2 W | 17 dB | NA | 28 V | Evaluation Board | Flange |
CMPA0060002F1-AMP | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 2 W | 18 dB | NA | 28 V | Evaluation Board | Flange |