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 HMC637BPM5E一款砷化鎵(GaAs)、單處理芯片微波通信整合集成運放(MMIC)、假晶高電子廠遷入率單晶體管(pHEMT)、級聯分布圖式公率擴大器，在日常事業時可構建自偏置且兼具IDQ可供選擇偏置把控和增加收益控制控制變動。該擴大器的事業平率的范圍為DC至6 GHz，具備15 dB小數據信號增加收益控制控制、27.5 dBm所在公率（1 dB增加收益控制控制減少）、40 dBm類型所在IP3和4 dB噪音污染指標，主要采用VDD 12 V電源開關傳輸功率時能耗為335 mA。HMC637BPM5E在DC至6 GHz依據內的增加收益陡峭度（常見值±0.5 dB時）相當表現出色，而能尤為比較合適中國國防、空間站和測試圖片主機器設備軟件。HMC637BPM5E還還具有里面的切換至50 Ω的設置/傳輸(I/O)，利用貼合RoHS規格的5 mm × 5 mm LFCSP預制板空腔芯片封裝，可與高使用量表貼技術機器設備(SMT)零件主機器設備兼容。

HMC637BPM5E結構圖

HMC637BPM5E應用

• 軍事與太空
• 測試儀器儀表

HMC637BPM5E優勢和特點

• P1dB輸出功率：27.5 dBm（典型值）
• 增益：15 dB（典型值）
• 輸出IP3：40 dBm（典型值）
• 在VDD = 12 V（335 mA，典型值）下自偏置，VGG1（針對IDQ調整）和VGG2（針對增益控制）具有可選偏置控制
• 50 Ω匹配輸入/輸出
• 32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝：25 mm2