推送精力:2022-06-15 16:38:22 閱讀:1421
氮化鎵(GaN)輸出功率半導體新技術新技術APP為資料頻射/微波通信輸出擴大器使用性能受到了強大榮譽獎。利用避免元元集成電路芯片封裝的附生元集成電路芯片封裝,并選擇更短的柵極寬度和更為重要的電壓值概率,GaN晶狀體管能夠滿足了更高些的傷害熱速度、更寬的帶寬使用和更加快的直流電電源線微波射頻速度。
隨之以GaN布料材質為象征的3.代半導體行業元器的創造,GaN HEMT鑒于其寬頻段隙而很受加關注,高熱傳遞性、高擊穿電壓場強和高頂值電子技術轉至速率單位。為GaN材質的寬帶功率放大器普遍使用于無線通信網絡、無線網絡、電子對抗、雷達系統等行業領域。
西安市立維創展自動化是Teledyne防務光學的生產商商,可以提供Teledyne防務光學廠品包括LDMOS、GaN、GaAs和InP。Teledyne防務電子為了滿足電子時代發展的需求,車輛線適用寬頻帶寬度、窄帶、單脈沖擴大器,頻繁1MHz~220GHz,工作電壓mW~10kW,競爭優勢分銷渠道可以提供Teledyne防務電子為了滿足電子時代發展的需求,購貨,歡迎語諮詢。
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Model | Frequency Range MHz | Gain dB Typ. | Noise Figure dB Typ. | P1dB dBm Typ. | P4dB dBm Typ. | P4dB Watts Typ. | IP3/IP2/Pout dBm Typ. | Preamp D.C. Volts Nom | Preamp D.C. mA Max. | D.C. Volt Nom | Amps Q/@P3dB Typ. |
GaN MEDIUM POWER BROADBAND AMPLIFIERS | |||||||||||
AVP598 | 50-700 | 16.5 | 2.5 | 38 | 43.2 | 20.9 | 50/64/40 | N/A | N/A | 28 | 0.85/1.5 |
AVP514 | 50-700 | 40 | 3.7* | 38 | 43.2 | 20.9 | 50/62/40 | 12 | 230 | 28 | 1.2/2.3 |
AVP2515 | 600-2600 | 17 | 4.5 | 35 | 41 | 12.6 | 48/50/37 | N/A | N/A | 28 | 0.85/1.50 |
AVP2524 | 600-2600 | 41 | 4.5 | 35 | 41 | 12.6 | 47/48/37 | 12 | 185 | 28 | 1.25/1.9 |
AVP2030 | 500-2400 | 16 | 3.7 | 39 | 44 | 25.1 | 53/65/40 | N/A | N/A | 28 | 0.85/2.6 |
AVP2034 | 500-2400 | 40 | 3.7 | 39 | 44 | 25.1 | 52/62/40 | 12 | 200 | 28 | 1.2/3.2 |
AVP2050 | 900-2000 | 14 | 4 | 42 | 48 | 63.1 | 55/68/43 | N/A | N/A | 28 | 1.6/5.50 |
GaN PREAMP DRIVER AMPLIFIERS | |||||||||||
A2CP2595 | 20-500 | 24 | 3 | 34 | 36.2 | 4.2 | 45/58/27 | 12 | 185 | 28 | 0.39/0.47 |
500-2500 | 24 | 3 | 32.5 | 34 | 2.5 | 40/56/27 | 12 | 185 | 28 | 0.39/0.47 | |
A2CP2596 | 20-500 | 24 | 4.8 | 36.5 | 37.5 | 5.6 | 8/52/23 | 15 | 335 | 28 | 0.53/0.70 |
500-2500 | 24 | 4.3 | 34.5 | 37.5 | 5.6 | 42/48/23 | 15 | 335 | 28 | 0.53/0.70 |