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UMS亳米波內部配對GAN額定功率晶胞管

上架時間:2022-04-13 16:54:30     閱覽:987

GaN材料是第三代半導體的典型代表,具備寬禁帶、高擊穿場強、高熱導率和高峰值電子漂移速度等優質性能。因此,GaN材料可以很好地滿足耐高溫、高頻率和功率大的工作要求,GaN功率晶體管一直是L和S波段雷達系統中線性和壓縮功率放大器的有源元件。Gan功率晶體管可用作航空電子、商業服務、工業生產、醫療設備和國防軍事用途的電路和系統中的各種應用。它們都通過寬帶gap GaN半導體材料的作用,在小封裝中產生高功率密度和高輸出功率電平的RF/微波晶體管

UMS亳米波可以提供來源于ASIC或文件類產品的全方位價格查詢,關鍵立于我司里面的III-V新技術,并可以提供全管理方面的三方合同保障,使的客戶還可以一直創立我自己的車輛處理解決辦法。UMS分米波的其他名錄物品從DC到100GHz都依托于GaAs、Gan和SiGe技術工藝,是指高達到200W的輸出功率增加器、交織信號燈實用功能、極低躁聲增加器和完整性的發送器系統。UMS類產品以黑色防靜電鑷子的風格給出,但一般而言以多心片接口的風格封裝類型。

東莞市立維創展社會十分有限工司是UMS的一級批發商,職業為無限通信設備公程、航天科技移動基站、國防軍事、車子、ism等該行業供給高耐用性rf射頻微波通信公厘波器材及ibms電線。UMS服務主要采用QFN和磨具進行包裝,交房期短,產品報價長處獨有。咱們為一個款式能提供高產品量的UMS好產品庫存盤點。受歡迎顧問。

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UMS低噪聲放大器.png

Reference

RF Bandwidth (GHz)

Small signal Gain
(dB)

Power
(W)

Associated Gain
(dB)

PAE
(%)

DC Bias

Case

min

max

CHZ180AaSEB

1.2

1.4

20

200

>14

52

VDS 45V @ ID_Q 1.3A

Ceramic Metal Flange

CHZ015AaQEG

1.2

1.4

17.2

15

> 14

> 55

VDS 45V@ID_Q 100mA

QFN Plastic package

CHZ8012-QJA

2.6

3.4

16.5

12

11

55

VDS 30V @ ID_Q 180mA

QFN Plastic package

CHZ9012-QFA

2.7

3.4

16

65

12

55

VDS 30V@ID_Q 800mA

QFN Plastic package


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