上架時間:2022-04-13 16:54:30 閱覽:987
GaN材料是第三代半導體的典型代表,具備寬禁帶、高擊穿場強、高熱導率和高峰值電子漂移速度等優質性能。因此,GaN材料可以很好地滿足耐高溫、高頻率和功率大的工作要求,GaN功率晶體管一直是L和S波段雷達系統中線性和壓縮功率放大器的有源元件。Gan功率晶體管可用作航空電子、商業服務、工業生產、醫療設備和國防軍事用途的電路和系統中的各種應用。它們都通過寬帶gap GaN半導體材料的作用,在小封裝中產生高功率密度和高輸出功率電平的RF/微波晶體管
UMS亳米波可以提供來源于ASIC或文件類產品的全方位價格查詢,關鍵立于我司里面的III-V新技術,并可以提供全管理方面的三方合同保障,使的客戶還可以一直創立我自己的車輛處理解決辦法。UMS分米波的其他名錄物品從DC到100GHz都依托于GaAs、Gan和SiGe技術工藝,是指高達到200W的輸出功率增加器、交織信號燈實用功能、極低躁聲增加器和完整性的發送器系統。UMS類產品以黑色防靜電鑷子的風格給出,但一般而言以多心片接口的風格封裝類型。
東莞市立維創展社會十分有限工司是UMS的一級批發商,職業為無限通信設備公程、航天科技移動基站、國防軍事、車子、ism等該行業供給高耐用性rf射頻微波通信公厘波器材及ibms電線。UMS服務主要采用QFN和磨具進行包裝,交房期短,產品報價長處獨有。咱們為一個款式能提供高產品量的UMS好產品庫存盤點。受歡迎顧問。
內容知曉UMS請點擊率://www.takasago.net.cn/brand/36.html
Reference | RF Bandwidth (GHz) | Small signal Gain | Power | Associated Gain | PAE | DC Bias | Case | |
min | max | |||||||
CHZ180AaSEB | 1.2 | 1.4 | 20 | 200 | >14 | 52 | VDS 45V @ ID_Q 1.3A | Ceramic Metal Flange |
CHZ015AaQEG | 1.2 | 1.4 | 17.2 | 15 | > 14 | > 55 | VDS 45V@ID_Q 100mA | QFN Plastic package |
CHZ8012-QJA | 2.6 | 3.4 | 16.5 | 12 | 11 | 55 | VDS 30V @ ID_Q 180mA | QFN Plastic package |
CHZ9012-QFA | 2.7 | 3.4 | 16 | 65 | 12 | 55 | VDS 30V@ID_Q 800mA | QFN Plastic package |