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Qorvo采用我們最先進的超低噪聲0.15μm pHEMT和0.25μm E-pHEMT工藝技術提供多種多樣的分立晶體管組件。QORVO分立晶體管GAAS PHEMT接受用戶在設計低噪聲放大器(LNA)電源電路時完全控制。各類分立FET提供低至0.15dB的NF（最小值），最高可采用22GHz。還提供匹配晶體管，特別適合平衡LNA設計。

注意基本特征

非常低的環境噪聲因子——低至0.15dBNF（世界最大值）

給予裸片或裝封組織形式

應用區域

通訊網絡通信信號塔

飲水機電訊

點到點(PtP)遠程電

廣州 市立維創展科持是QORVO的代理商商，主要具備QORVO工作功率變成器，   IC和裸IC芯片，立維創展有著增強的廠家直銷營銷渠道，多少錢優缺點，并大規模常備期貨庫存商品，祝賀服務咨詢。

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