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TGF2023-2-20分立結晶管SiC HEMT上100瓦離散工作效率GaN Triquint外盤一級總代理

頒布時間段：2018-05-31 17:04:39     瀏覽器：7375

 Qorvo的TGF2023-2-20是SiCHEMT上的離散20 mm GaN，工作中幾率從DC到14 GHz。


通常情況下，TGF2023-2-20在3 GHz時展示 50.5 dBm的過剩內容輸出工作電壓，工作電壓增加收益為19.2 dB。較大 公率扣減的效率為70.5％，這讓TGF2023-2-20適軟件應用在于便捷軟件應用。


該廠品無鉛且按照RoHS要求。


品牌 型號 描述 貨期 庫存
TriQuint TGF2023-2-20 頻率范圍：DC至14 GHz,19.2 dB額定功率增益 現貨 36


TGF2023-2-20主要特證

  • 頻繁位置：DC至14 GHz
  • 3 GHz時標稱Psat為50.5 dBm
  • 最好PAE為70.5％
  • 19.2 dB額定容量電率增益控制
  • 偏壓：Vd = 12至32 V，Idq = 400 - 2000 mA
  • 處理芯片面積：0.82×4.56×0.10mm


TGF2023-2-20典型性運用

    • 帶寬遠程
    • 俄羅斯軍事
    • 區域空間



速度超小值（MHz） DC
比較大速度（MHz） 14000
增加收益（dB） 19.2
Psat （dBm） 50.5
PAE （％） 70.5
VD （V） 12至32
Idq （mA） 400至2,000
禮品盒方式 打包封裝




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