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AMCOM微波射頻單晶體管GaAs FET

上架時刻：2020-09-15 15:12:31     網頁瀏覽：1861

AMCOM砷化鎵場定律結晶管(GaAs FET)是一種種專門的使用在高頻、二次搬運費頻和微波通信rf射頻變成控制電路的場效用納米線管。AMCOMrf射頻氯化鈉晶體管GaAs FET的頻率范圍跨越電磁輻射譜，從30 MHz到紅外波段。AMCOMrf射頻硫化鋅管GaAs FET以其靈敏度而聞名，而GaAs FET產生的內部噪聲很小。這主要是由于GaAs具有很強的載流子遷移率。電子可以輕易、快速地穿過半導體材料。AMCOM頻射氯化鈉晶體管GaAs FET也是種消失殆盡電子元件，這暗示著著當掌握金屬電極沒了電流值時，它會導電，當柵極有電流值時，溝道電阻率會下降。

在弱網絡信號遠程電力和廣播電臺推送工作方面，AMCOMRF單晶體管GaAs FET的使用性能不同于往往是數另外的類別的場效果硫化鋅管。有一些類別的GaAs FET也應用于頻射瓦數變大器。GaAs FET也采用宇宙飛船通訊、射電天文學和wifi電癖好者所做的試驗。

AMCOMrf射頻多晶體管GaAs FET具備著好的的直線度。

蘇州市立維創展高新科技是AMCOM經銷處商，專業的展示 AMCOM產品設備一系列包擴：rf射頻氯化鈉晶體管、MMIC瓦數變大器、混合法變大器傳感器、寬帶網變大器、高瓦數變大器傳感器、帶RF和DC連入器的高公率變成器引擎和低噪音污染變成器，公率變成器，開關按鈕，衰減器，移相器同時上/接下來直流變頻空調器的開發等，食品原放進囗的進囗的，效率保障，受歡迎咨詢中心。

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 AMCOM.png

對模型

頻率（GHz）

最大頻率（GHz）

增益（dB）

P1dB（dBm）

IP3（dBm）

偏差（V）

AM010MH4-BI-R

整流電

3

19

31

46

-28

AM030MH4-BI-R

直流電源電

3

19

36

49

-28

AM006MX-QG-R

交流電電

6

13

22

34

-5

AM012MX-QG-R

直流電壓電

6

13.5

25

37

-5

AM024MX-QG-R

整流電

6

13

28

39

-5

AM036MX-QG-R

整流電

6

12

29.5

42

-5

AM048MX-QG-R

交流電電

6

11

31

43

-5

AM072MX-CU-R

直流電壓電

6

11

34

46

-7

AM100MX-CU-R

電流電

6

10

35

48

-7

AM150MX-CU-R

直流電壓電

6

10

36.5

50

-7

AM200MX-CU-R

交流電電

6

10

38

48

-7

AM300MX-CU-R

整流電

6

9

39.5

51

-7

AM005MH2-BI-R

直流變壓器電

6

15

25

40

-14

AM010MH2-BI-R

直流變壓器電

6

15

28

43

-14

AM032MH4-BI-R

直流電電

6

19

36

49

-28


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