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GaN是一個種是非常動態平衡的化工物質，體現了好強的原子團鍵、高的熱導率、比較高的電離度和較好的化工動態平衡性，這讓GaN元器件封裝比Si和GaAs擁有更強的抗電磁輻射能力素質。與此同時，GaN不是種高沸點、高導熱性性的原料。GaN輸出元器件常見以SiC為襯底，有不錯的熱導率，對此GaN輸出元器件具有著較高的結溫和性持續高溫做工作性能。

GaN高智能電子變更率氯化鈉晶體管(HEMT)已然為5G超大基站設備耗油率擴大器的流行的得票率的技術，原因其僵板的高相電壓擊穿相電壓、高耗油率黏度、大帶寬的配置和便捷率，早已成為為5 G信號塔選擇光電器件水平。

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離散瓦數GaN HEMT