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HMC219B是一種款超中不同規格的中小型適用雙靜態平衡混頻器，用于8引腳超中不同規格的中小型塑料材質表貼裝封，帶裸露出焊盤(MINI_SO_EP)。該無源單模塊化塊紅外光模塊化電源電路板(MMIC)混頻器用于砷化鎵(GaAs)塑料半導體材料場作用納米線管(MESFET)工藝流程開發，無須外部鏈接電氣元件或連接電源電路板。該電子元器件可以使用作聲音頻率標準為2.5 GHz至7.0 GHz的上交流軟啟動、下交流軟啟動、雙相熬制器或相位較好器。 立維創展HMC219B按照歷經優化方案的巴倫結構設計，可以提供漂亮的本振(LO)至rf射頻(RF)隔絕及LO至中頻(IF)隔絕能。遵循國家RoHS原則的HMC219B無須線焊，與高電容量表貼造成枝術兼容。MMIC能穩固可上升設備辦公使用率并確保遵循國家HiperLAN、U-NII和ISM法律法規條件。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC219BMS8GE HMC219BMS8GETR	2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混頻器	現貨	98

HMC219BMS8GE利用

• 微波無線電
• 高性能無線電局域網(HiperLAN)和免執照國家信息基礎設施(U-NII)

• 工業、科研和醫療(ISM)

HMC219BMS8GE優勢和特點

• 轉換損耗：9 dB（典型值）
• LO至RF隔離：40 dB（典型值）
• LO至IF隔離：35 dB（典型值）
• RF至IF隔離：22 dB（典型值）
• 輸入IP3：18 dBm（典型值）
• 輸入P1dB：11 dBm（典型值）
• 輸入IP2：55 dBm（典型值）
• 無源雙平衡拓撲結構
• 8引腳、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封裝

HMC219BMS8GE結構圖