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HMC635都是款GaAs PHEMT MMIC帶動增加器裸片，做辦公頻帶寬度領域圖為18至40 GHz。 該增加器最為19.5 dB的增益控制值，+29 dBm手機輸入導出IP3及+23 dBm的手機輸入導出辦公電壓（1 dB增益控制值降低時），功耗測試為280 mA（+5V開關電源）。 HMC635相對滿足最為微波加熱wlan電使用的帶動增加器，或用來做辦公頻帶寬度領域圖為18至40 GHz的混頻器LO增加器，可最為高達模型+24 dBm的飽和狀態手機輸入導出辦公電壓(15% PAE)。 隔直增加器I/O的內部搭配50 Ω，相對滿足ibms到多IC集成電路集成電路芯片模快(MCM)中。 整個IC集成電路集成電路芯片數據分析均巧用IC集成電路集成電路芯片收集，其經過3個間距為500 μm的1 mil線焊聯系手機輸入和手機輸入導出RF網絡端口。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC635 HMC635-SX	驅動放大器芯片，18 - 40 GHz	現貨	267

HMC635應用

• 點對點無線電
• 點對多點無線電和VSAT
• 混頻器用LO驅動器

• 軍事和太空

HMC635優勢和特點

• 增益： 19.5 dB
• P1dB: +23 dBm
• 輸出IP3： +29 dBm
• 飽和功率：
  +24 dBm (15% PAE)
• 電源電壓： +5V (280 mA)
• 50 Ω匹配輸入/輸出<
• 裸片尺寸： 1.95 x 0.84 x 0.10 mm

HMC635結構圖