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上線日期:2019-02-22 10:22:17 搜素:1775
Wolfspeed的CGHV96050F2是增碳硅(SiC)的基板上的氮化鎵(GaN)高智能遷出率硫化鋅管(HEMT)。與其他系統相較,這類GaN室內適應(IM)FET擁有很棒的電功率額外的效率。與硅或砷化鎵相對,GaN存在非常好的的性能指標,涵蓋更加高的穿透輸出功率,更加高的達到飽和狀態手機漂移速率和更加高的熱傳導率。與GaAs晶狀體管優于,GaN HEMT還提拱更強的輸出溶解度和更寬的上行寬帶。該IM FET選取材料/陶瓷廠家法蘭盤封口,體現了最適的組合件和性熱能。
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CREE
CGHV96050F2
1周
300
特征
| 閥值打出電功率 | 50W | |
|---|---|---|
| 軟件 | Lk線/ Sk線/ Xk線/ Ck線/ Kuk線 | |
| 具代表性的最大功率額外添加轉化率PAE | 55% | |
| 一般公率(PSAT) | 80瓦 | |
| 工作電壓增益值 | 10dB | |
| 運轉電流 | 40 V | |
| 速率 | 7.9 - 9.6 GHz | |
| 包裝袋款式 | 輪緣 | |
| 外部適應 | 是 - 50Ω | |
示意圖