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說明
AMCOM的AM005WN-BI-R不是個分立的GaN/SiC HEMT，總門寬為0.5直徑。它不是個瓷器圖片封裝類型形式，最底工做12千兆赫。Bi國產選取特殊的來設計的瓷器圖片封裝類型形式，會有拉伸（Bi-G）或直（Bi）引線，選取內嵌式配置方法。包底的法蘭部還用在直流電壓接地系統系統、頻射接地系統系統和熱過道。本要素貼合RoHS。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM005WN-BI-G-R AM005WN-BI-R	1周	100

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特征
高達12GHz的高頻操作
增益=15db，p5db=33.5dbm，pae=51%，漏極=56%@3GHz
表面安裝
合理有效排熱的低層

應用
高動態接收器
移動無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
試驗儀器
軍事
干涉機

示意圖