AM025WN-00-R一種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總總寬為2.5分米(兩位1.25公厘FET串連)。它一個裸模,可操作步驟更是高達15千兆赫。它還可以帶來了40.5 dBm的典型性供大于求功效。此這部分適合RoHS。
特征描述
可高達15GHz的高頻工作
在2GHz時增加收益=21dB
PAE=53%
P5dB=40.5 dBm
軟件應用
蜂窩有線移動通信基站
wifi手機局域網ip、中繼器
C波長VSAT
統計
測試方法器材
軍事戰爭
頻率:DC-15GHz
增益值:21
P1dB(DBM):38.9
PSAT(DBM):40.5
VD(V):28
AM025WN-00-R一種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總總寬為2.5分米(兩位1.25公厘FET串連)。它一個裸模,可操作步驟更是高達15千兆赫。它還可以帶來了40.5 dBm的典型性供大于求功效。此這部分適合RoHS。
特征描述
可高達15GHz的高頻工作
在2GHz時增加收益=21dB
PAE=53%
P5dB=40.5 dBm
軟件應用
蜂窩有線移動通信基站
wifi手機局域網ip、中繼器
C波長VSAT
統計
測試方法器材
軍事戰爭