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微波加熱元電子器件
AM012WN-BI-R也是種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總高度為1.25毫米左右。它是在是一個工業陶瓷雙包操控自由高達10千兆赫。BI品類用于特殊性構思的工業陶瓷二極管封裝，用于鑲入式怎么安裝的方式，暗含彎曲變形（BI-G）或直（BI）輸電線。二極管封裝底層的蝶閥法蘭另外用來作為電流的接地保護、微波射頻的接地保護和熱安全通道。此局部具備RoHS。
特性
達到了10GHz的中頻操作的
增益值=17dB，P5dB=37dBm，PAE=51%，漏極=55%@2.8ghz
外壁貼裝
更好cpu散熱的低層
應用領域
高新動態吸收器
蜂窩wifi手機基站設備
光纖寬帶和窄帶拖動器
統計
檢測分析儀器
軍事化
干擾信號器