中文名
紅外光元元件
AM025WN-BI-R就是一種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總長寬比為2.5mm。它有的是個瓷質封裝類型，工作中頻點敢達8千兆赫。BI款型選擇特別設置的陶瓷制品封裝形式，選擇置于式連接方法，具有打彎（BI-G）或直（BI）輸電線。封裝下端的卡箍同時可作直流電源等電位連接、微波射頻等電位連接和熱管道。此一部分復合RoHS。
有特點
獨角獸高達8GHz的高頻工作
增益控制=16 dB，P5dB=40 dBm，PAE=52%，漏極=56%@3 GHz
接觸面貼裝
更好導熱的下層
運用
高動態信息收器
蜂窩wifi移動信號塔
移動寬帶和窄帶擴大器
雷達天線
檢測檢測設備
軍事體育
干攏器