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Cree工廠的CMPA2560025F就是一種通過氮化鎵（GaN）高自動化轉化率納米線管（HEMT）的片式徽波集合電源電路（MMIC）。與硅或砷化鎵對比，GaN具備有更好的擊穿交流電壓交流電壓、更好的呈現飽和狀態自動化漂移速度慢和更好的熱導率。與Si和GaAs納米線管對比，GaN-hemt還具備有更好的電機功率體積和更寬的傳輸速率起步。各種MMIC涵蓋是同一個二級不起作用配對變大器，使極其寬的傳輸速率起步還可以在是同一個小的占地坪積占地面的扭松封裝，具備有銅鎢排熱器。

特色?24 dB小電磁波增益值?25 W非常典型PSAT?任務端電壓高至28 V?高電壓電流擊穿電壓電流?高溫進行

采用?超大帶變大器?光仟伺服驅動器器?測驗機器設備?EMC圖像電壓放大器