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CGH21120F一種氮化鎵（GaN）高電子元器件遷出率晶狀體管（HEMT），專為更高工作效率、高增益控制和寬帶網技能而設定，這這讓CGH21120F至關最適合1.8-2.3GHz WCDMA和LTE變小器使用。晶狀體管運用淘瓷/金屬活套法蘭封裝類型。

基本特征?1.8-2.3 GHz控制?15 dB增加收益?-35 dBc ACLR，20W砂石路?20W商鋪時35%的使用率?可進行超高DPD校準