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CGH09120F有的是種氮化鎵（GaN）高電子設備遷入率氯化鈉氯化鈉晶體管（HEMT），專為快速率、高增加收益和網絡帶寬性能而定制，這令CGH09120F擁有MC-GSM、WCDMA和LTE變大器技術應用的志向考慮。氯化鈉氯化鈉晶體管適用瓷質/金屬蝶閥法蘭封裝。

結構特征?UHF-2.5 GHz使用?21 dB增益值?20W橋面處-38 dBc ACLR?20W地面鋪設時35%的的效率?可利用高強度DPD調節