XC2100E-03S也是款低剖面、高的性能20dB定位交叉交叉耦合器,在新型產品最易選擇、創造舒適的外表面裝配二極管封裝。它是為UMTS和別的3G采用而方案的。XC2100E-03S幫著方案在電機工作電壓和頻帶寬度判斷,和要嚴要求保持交叉交叉耦合和低導入衰減的VSWR監測網。它會在多達150瓦的大電機工作電壓采用。與熱彭脹標準值為435的聚酰亞胺基片(如經認真測驗的FR0-435)和熱彭脹標準值同樣。出具5/6錫鉛(XC2100A-20P)和6/6浸錫(XC2100A-20S)符合要求RoHS的飾面板材。