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JP503AS一種低姿勢，高穩定性的3dB融合交叉耦合器，有利適用，制作業十分友好的表明裝封裝。它是為W-CDMA和其他3G應用而設置的。JP503AS專為取舍調小器、可調移相器和衰減器、低噪音分貝調小器、手機信號安排而設置，是足夠手機無線工業生產對更小印廠電路系統板和高穩定性條件的抱負解決計劃。元器件就已過嚴格執行的鑒定費試驗，因此是適用熱脹大公式（CTE）的用料制作業的，這類用料與FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺等典型基本材料兼容。生產6個完全符合RoHS條件的浸錫性飾面。

JP503AS特征描述：?2.0–2.3千兆赫。?3G規律?低損耗率?高丟開度?90°正交?面上貼裝?磁帶和魔石?無鉛?100%測試儀