EC2612-99F基于0.15μm柵極偽晶型高電子遷移率晶體管(0.15μm pHEMT)技術。
澆口長寬比為120μm,0.152um。T形鋁鑄鐵閘門具備有低電阻功率和優秀的可信度性。
該集成電路芯片表示出比較高的跨導,得以造成的比較高的的頻率和低躁聲耐磨性。
它以心片模式供應,帶有順利通過孔拼接的源極,僅需規定柵線和漏極線。
EC2612-99F 晶體管
微波射頻速率(GHz): 整流-40增加收益(dB):9.5燥音公式(dB):1.5進貨貨期:3-4周EC2612-99F基于0.15μm柵極偽晶型高電子遷移率晶體管(0.15μm pHEMT)技術。
澆口長寬比為120μm,0.152um。T形鋁鑄鐵閘門具備有低電阻功率和優秀的可信度性。
該集成電路芯片表示出比較高的跨導,得以造成的比較高的的頻率和低躁聲耐磨性。
它以心片模式供應,帶有順利通過孔拼接的源極,僅需規定柵線和漏極線。