CHZ015AaQEG是輸入匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。
它為L光波的不同RF電機功率軟件出示了網絡帶寬防止方法。該電路系統愈來愈最適合單脈沖統計選用。
CHZ015AaQEG是在0.5μm柵長的GaN HEMT制作工藝上提到的。它源于準MMIC技木。
它以適合RoHS的SMD封裝類型出具。
CHZ015AaQEG 內部匹配的GAN功率晶體管
頻射資源帶寬(GHz): 1.2-1.4小數字信號增益控制(dB):16電功率(W):15相應收獲(dB): > 14P-1dB輸入(dBm):-PAE(%): > 55定購交貨期:3-4周CHZ015AaQEG是輸入匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。
它為L光波的不同RF電機功率軟件出示了網絡帶寬防止方法。該電路系統愈來愈最適合單脈沖統計選用。
CHZ015AaQEG是在0.5μm柵長的GaN HEMT制作工藝上提到的。它源于準MMIC技木。
它以適合RoHS的SMD封裝類型出具。