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CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管
CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管
很重要因素

CHZ180AaSEB  內部匹配的GAN功率晶體管

微波射頻下行帶寬（GHz）： 1.2-1.4小手機信號收獲（dB）：20額定功率（W）：200相應增益控制（dB）： > 14P-1dB內容輸出（dBm）：-PAE（％）： 52進貨交貨：3-4周

品牌：UMS微波

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CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L波段的各種RF功率應用提供了寬帶解決方案。

至關可以脈沖信號聲納app。

CHZ180AaSEB是在0.5μm柵長的GaN HEMT方法上強調的。它由于準MMIC工藝。

它按照密封圈法蘭盤陶瓷廠家金屬制電源線打包封裝，可保證低寄生菌和低散熱量。


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