CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該物品為聲納和電信網等不同的RF電選用供給專用和寬帶網絡徹底解決方法。
它是立于SiC襯底上的0.5μm柵長GaN HEMT技術設備研發的,因此特備遵循RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006電腦指令的規范。
它以裸處理器形勢明確提出,同時需要靜態切換控制電路。
CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管
Glin(dB)@速率(GHz): 14 @ 6辦公頻繁(GHz):最常6個趨于穩定輸出(W): 20PAE(%)@頻段(GHz): 60 @ 6定購交貨期:3-4周CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該物品為聲納和電信網等不同的RF電選用供給專用和寬帶網絡徹底解決方法。
它是立于SiC襯底上的0.5μm柵長GaN HEMT技術設備研發的,因此特備遵循RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006電腦指令的規范。
它以裸處理器形勢明確提出,同時需要靜態切換控制電路。