CHK8015-99F是一款16W氮化鎵高電子遷移率晶體管。該產品為各種射頻功率應用提供通用和寬帶解決方案。
該電路板是在SiC襯底上主要包括0.25μm柵極粗度的GaN HEMT能力手工制造的。
它以裸集成電路板芯片模式明確提出,還有要內部適合電路板。
CHK8015-99F 氮化鎵功率晶體管
Glin(dB)@頻帶寬度(GHz): 17 @ 9上班幾率(GHz): 最大18飽滿額定功率(W): 20PAE(%)@率(GHz): 68 @ 9定貨貨期:3-4周CHK8015-99F是一款16W氮化鎵高電子遷移率晶體管。該產品為各種射頻功率應用提供通用和寬帶解決方案。
該電路板是在SiC襯底上主要包括0.25μm柵極粗度的GaN HEMT能力手工制造的。
它以裸集成電路板芯片模式明確提出,還有要內部適合電路板。