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CHK8013-99F 氮化鎵功率晶體管
CHK8013-99F 氮化鎵功率晶體管
決定性技術參數

CHK8013-99F  氮化鎵功率晶體管

Glin（dB）@頻率（GHz）：17 @ 6操作規律（GHz）： 達到了10GHz達到飽和狀態電功率（W）：  14PAE（％）@頻帶寬度（GHz）： 70 @ 6訂購交貨期：3-4周

品牌：UMS微波

成品商品詳情頁說

CHK8013-99F是14W氮化鎵高電子遷移率晶體管。

該品牌為統計和5G等很多RF電原應用給予萬能和聯通寬帶改善策劃方案。

該電路設計是在SiC襯底上進行0.25μm柵長的GaN HEMT技術水平加工制造的。

它以裸單片機芯片結構類型入憲，另外需要外部鏈接輸入線路。


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