CHA2190-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電源線路主要采用的標準的pHEMT技術產生:柵極總長0.25μm,在基材的通孔,的空氣橋和電子元器件束柵極夜刻。
它以集成電路芯片形勢給出。
CHA2190-99F 放大器– LNA
rf射頻帶寬的配置(GHZ):20 - 30增益控制(dB):15收獲同軸度(dB):0.5嗓聲公式(dB):2.2P-1dB輸出(dBm):11定購交貨期:3-4周CHA2190-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電源線路主要采用的標準的pHEMT技術產生:柵極總長0.25μm,在基材的通孔,的空氣橋和電子元器件束柵極夜刻。
它以集成電路芯片形勢給出。