CHA2069-99F是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該用電線路使用標準規定的pHEMT工藝技術研發:柵極厚度0.25μm,完成基材的通孔,大氣橋和自動化束柵流星刻。
它以集成ic樣式展示。
CHA2069-99F 放大器– LNA
rf射頻帶寬使用(GHZ):16 - 31增加收益(dB):22增益值同軸度(dB):1背景噪聲因子(dB):2.5P-1dB輸入(dBm):10訂購貨期:3-4周CHA2069-99F是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該用電線路使用標準規定的pHEMT工藝技術研發:柵極厚度0.25μm,完成基材的通孔,大氣橋和自動化束柵流星刻。
它以集成ic樣式展示。