所述CHA3666-FAB是有級自偏置寬頻段片式低噪音源變大器。
該三極管選取標準規定的pHEMT流程生產:柵極總長0.25μm,可以通過柔性板的通孔,氧氣橋和電子廠束柵星空刻。
改進措施選取無鉛從表面貼裝全全封閉式彩石衛浴陶瓷6x6mm2裝封。建筑體電源模塊為4V / 80mA。
該用電線路上用于太空飛船利用,也十分適用幾種微波加熱和分米波利用和平臺。
CHA3666-FAB 放大器– LNA
頻射帶寬起步(GHZ): 6 - 16增加收益(dB):21增益值同軸度(dB):1噪音污染數值(dB):1.8P-1dB導出(dBm):17定貨貨期:3-4周所述CHA3666-FAB是有級自偏置寬頻段片式低噪音源變大器。
該三極管選取標準規定的pHEMT流程生產:柵極總長0.25μm,可以通過柔性板的通孔,氧氣橋和電子廠束柵星空刻。
改進措施選取無鉛從表面貼裝全全封閉式彩石衛浴陶瓷6x6mm2裝封。建筑體電源模塊為4V / 80mA。
該用電線路上用于太空飛船利用,也十分適用幾種微波加熱和分米波利用和平臺。