CHA3666-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路原理進行準則的pHEMT工序打造:柵極粗度0.25μm,順利通過基材的通孔,大氣橋和智能束柵神行者刻。
CHA3666-99F 放大器– LNA
頻射上行寬帶(GHZ): 6 - 17增加收益(dB):21收獲同軸度(dB):0.5燥聲數值(dB):1.8P-1dB輸出的(dBm):17訂購交貨時間:3-4周CHA3666-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路原理進行準則的pHEMT工序打造:柵極粗度0.25μm,順利通過基材的通孔,大氣橋和智能束柵神行者刻。