AM010MH4-BI-R是砷化鎵HIFET的BI產品系列的一款分。HiFET是一種種環節輸入的國家專利系統硬件配置,用來高壓電、大效率、高平滑和寬帶網絡應用。該安全裝置的總系統外層為4分米。AM010MH4-BI-R專為高輸出徽波用途而設計,操作率萬代高達3GHz。BI系列作品利用獨特制定的瓷磚封裝形式,回彎或直挺挺的引線和法蘭盤盤利用進到這一領域式裝置的方法。產品包裝底端的法蘭盤盤同一時間最為直流電接地裝置系統、微波射頻接地裝置系統和熱入口。那樣HiFET按照RoHS規范。
結構特征
28V漏極偏壓
移動寬帶要素適配:DC–2.4GHz
高達獨角獸3 GHz的低頻實際操作
高增益值:G=19dB@2.0GHz
高輸出:P1dB=31dBm@2.0GHz
高線形:IP3=46dBm@2.0GHz
可行風扇散熱的瓷質再生
應該用
光纖寬帶APP
各類高壓20至28V
手機無線本地網環交通網絡
PC移動基站
WLAN、中繼器和超局域網共享
C頻譜VSAT
國際航空電子元器件網絡通信