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LINEAR GaAsFET 偏置會出現器

更新時間間隔:2021-08-30 16:59:55     搜索:2223

GaAsFET(砷化鎵場效應晶體管)是高頻、超高頻、微波無線電頻下功放電路的場效應晶體管。GaAsFET憑借其靈敏性而舉世聞名,其形成的內部噪聲極少。這主要是由于砷化鎵擁有與眾不同的載流子遷移率。電子特別容易通過半導體材料。GaAsFET是一款耗盡型機械設備,這就代表著當在操縱電極門沒有電壓時它便會導電,當在門側產生電壓時信道傳導率便會降低。在弱數據信號無線通信和廣播接收中,GaAsFET優于其他類型的場效晶體管。

LINEAR可以提供了保密性性的進行充電泵DC-DC穩壓電源成品,尤其是最適合于代替作為一個GaAsFET偏置造成器。

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 LINEAR GaAsFET 偏置發生器

成品類型

Vin (min)

Vin (max)

Output Current (typ)

Output Voltage

Isupply (typ)

Frequency (typ)


V

V

A


A

Hz

LTC1261L

2.7

5.25

20m

-4.5V, -4V, Adj

650μ

650k

LTC1550L

2.7

5.25

20m

-2.5V, -2V, -4.1V, -4V, Adj

4.2m

900k

LTC1551L

2.7

5.25

20m

-4.1V

3.5m

900k

LTC1550

2.7

5.25

20m

-1.5V, -2.5V, -2V, -4.1V, -4.5V, Adj

4.2m

900k

LTC1551

2.7

5.25

20m

-4.1V

4.2m

900k

LTC1261

3

8

12m

-3V, -4.5V, -4V, -5V, Adj

600μ

550k


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