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CREE的GTVB222611FA-V1A是款氫氟酸處理硅基 GaN HEMT 圖像運放電路，一般說來于多條件蜂窩線上電機功率圖像運放電路技巧運用。GTVB222611FA-V1A應有極有效率高率和帶無耳蝶閥法蘭的耐氣溫開展封裝行駛。

特征描述

增碳硅基氮化鎵 HEMT 枝術

脈沖激光 CW 特性指標圖：2170 MHz、48 V、10 μs 激光脈沖幾率、10% pwm占空比、三人組合輸出精度

導出額定功率 @ P3dB = 260 W

運行學習效率@P3dB = 72%

還耐高溫環境改善型封裝類型結構

滿意 RoHS* 標準規范

應運域

蜂窩網絡信息基本設備構建

5G基礎理論措施規劃

食品金橋銅業跨接線的截面積大小

說明：耐低溫促進型 GaN 變成器

比較低幾率 (MHz)：1805

最快頻次(MHz)：2170

P3dB 所在功效(W)：260

增益值值(dB)：17.0

業務速度（％）：72

特殊電阻(V)：48

最底值輸送耗油率(W)：260

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